可控硅的損壞原因跟保護的措施有哪些？

    利匯自動化專注于高品質可控硅及溫控器的研制與生產，今天跟隨利匯自動化一起來看看，可控硅的損壞原因跟保護措施：

    可控硅損壞的原因有哪些？

    1、電壓擊穿，可控硅因為不能夠承受電壓造成損壞，它的芯片中又一個光潔的小孔，有的時候需要使用放大鏡才能看到，其原因可能是管子本身耐壓下降或者被電路斷開的時候產生的高電壓擊穿；

    2、電流上升率損壞，其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

    3、電流損壞，電流損壞的痕跡特征是芯片被燒出一個凹坑并且非常粗糙，其位置在原理控制極上面；

    4、邊緣損壞，其發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。

    二、怎樣保護可控硅不受損壞呢？

    1、過電流保護，由于半導體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結溫必須受到嚴格的控制，否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時，熱量來不及散發，使得結溫迅速升高，最終將導致結層被燒壞。產生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發電路發生故障，控制系統發生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負載過載或短路，相鄰設備故障影響等。晶閘管過電流保護方法比較常用的是快速熔斷器，因為普通熔斷器的熔斷特性動作太慢，在熔斷器還沒有熔斷之前，晶閘管就已經被燒壞，所以，不能用來保護晶閘管，快速熔斷器是由銀制熔絲埋于石英砂內，熔斷的時間非常短，能夠使用其來保護晶閘管；

    2、過電壓保護，晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管是很危險的。

    以上便是有關于可控硅的損壞原因跟保護的方法，希望能夠對您有所幫助，利匯自動化科技專注于中高端可控硅的研發與生產，如果您有相關產品需求，歡迎您致電利匯，我們將竭誠為您服務。